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富士通推出汽車級4Mbit FRAM 工作溫度為125°C

蓋世汽車 劉麗婷

蓋世汽車訊 據外媒報道,富士通半導體存儲器解決方案(Fujitsu Semiconductor Memory Solution)公司宣布開始量產4Mbit FRAM(鐵電隨機存取存儲器)MB85RS4MTY,可在125°C高溫下運行。

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(圖片來源:富士通)

該FRAM產品符合AEC-Q1001級汽車標準,非常符合工業機器人和汽車應用,例如需要高可靠性電子元件的高級駕駛輔助系統(ADAS)。

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(圖片來源:富士通)

FRAM是一種非易失性存儲器產品,其讀寫耐久性高、寫入速度快,且功耗低,并已量產20多年。而這種帶有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的寬電源電壓下運行。在-40°C至+125°C的溫度范圍內,該FRAM可保證10萬億次讀/寫周期和低工作電流,例如最大4mA的寫入電流(工作頻率為50MHz)。此外,該產品還采用8引腳DFN(Dual Flatpack No-leaded,雙扁平無引線)封裝。

該FRAM產品可解決在高可靠性應用中使用EEPROM(電可擦除只讀存儲器)或SRAM(靜態隨機存取存儲器)產生的一系列問題。如在在使用EEPROM時,由于寫耐久性規范的限制,用戶難以頻繁記錄數據,但使用FRAM可保證10萬億讀/寫周期,同時還可以在發生突發事故或停電時,保護寫入的數據,避免數據丟失;使用SRAM時,會難以取出電池保留數據,但使用FRAM非易失性存儲器,可以有效保留數據。

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(圖片來源:富士通)

總之,該FRAM不僅可以幫助客戶減輕開發負擔、增強客戶產品性能,還可降低成本。

來源:蓋世汽車

作者:劉麗婷

本文地址:http://www.155ck.com/news/jishu/151299

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