蓋世汽車訊 據外媒報道,富士通半導體存儲器解決方案(Fujitsu Semiconductor Memory Solution)公司宣布開始量產4Mbit FRAM(鐵電隨機存取存儲器)MB85RS4MTY,可在125°C高溫下運行。
(圖片來源:富士通)
該FRAM產品符合AEC-Q1001級汽車標準,非常符合工業機器人和汽車應用,例如需要高可靠性電子元件的高級駕駛輔助系統(ADAS)。
(圖片來源:富士通)
FRAM是一種非易失性存儲器產品,其讀寫耐久性高、寫入速度快,且功耗低,并已量產20多年。而這種帶有SPI接口的FRAM在可1.8V至3.6V的寬電源電壓下運行。在-40°C至+125°C的溫度范圍內,該FRAM可保證10萬億次讀/寫周期和低工作電流,例如最大4mA的寫入電流(工作頻率為50MHz)。此外,該產品還采用8引腳DFN(Dual Flatpack No-leaded,雙扁平無引線)封裝。
該FRAM產品可解決在高可靠性應用中使用EEPROM(電可擦除只讀存儲器)或SRAM(靜態隨機存取存儲器)產生的一系列問題。如在在使用EEPROM時,由于寫耐久性規范的限制,用戶難以頻繁記錄數據,但使用FRAM可保證10萬億讀/寫周期,同時還可以在發生突發事故或停電時,保護寫入的數據,避免數據丟失;使用SRAM時,會難以取出電池保留數據,但使用FRAM非易失性存儲器,可以有效保留數據。
(圖片來源:富士通)
總之,該FRAM不僅可以幫助客戶減輕開發負擔、增強客戶產品性能,還可降低成本。
來源:蓋世汽車
作者:劉麗婷
本文地址:http://www.155ck.com/news/jishu/151299
以上內容轉載自蓋世汽車,目的在于傳播更多信息,如有侵僅請聯系admin#d1ev.com(#替換成@)刪除,轉載內容并不代表第一電動網(www.155ck.com)立場。
文中圖片源自互聯網,如有侵權請聯系admin#d1ev.com(#替換成@)刪除。