蓋世汽車訊 7月19日，半導體制造商羅姆（ROHM）宣布推出集成650V耐壓、內置SiC肖特基勢壘二極管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽車可靠性標準AEC-Q101。新產品適用于處理大功率的汽車和工業應用，例如光伏電源調節器、車載充電器以及電動和電氣化汽車（xEV）中使用的DC/DC轉換器。

（圖片來源：羅姆）

RGWxx65C系列在IGBT的反饋單元（續流二極管）中采用了羅姆的低損耗SiC肖特基勢壘二極管，幾乎沒有恢復能量，因此可將二極管開關損耗降至最小。此外，由于在開啟模式下恢復電流不必由IGBT處理，因此顯著降低了IGBT的開啟損耗。當將該產品用于車載充電器時，在這兩種效應的共同作用下，其損耗與傳統IGBT相比降低67%，與超級結MOSFET（SJ MOSFET）相比降低24%，從而進一步提高性價比，并降低工業和汽車應用中的功耗。

近年來，在全球為減少環境負擔、實現碳中和及脫碳社會不斷努力的過程中，電動汽車（xEV）得到日益普及。與此同時，為了配置更高效的系統，各種車輛逆變器和轉換器電路也需要變得越來越多樣化。此外，超低損耗SiC功率器件（即SiC MOSFET、SiC SBD等）以及傳統的推功率器件（例如IGBT、超級結MOSFET）也需要在技術上有所創新。

為了向大量應用提供有效的電源解決方案，羅姆不僅專注于行業領先的SiC功率器件的產品和技術開發，還專注于開發硅產品和驅動器IC。

羅姆還在網站上提供了各種設計支持材料，包括集成和評估所需的驅動電路設計的SPICE模型和應用筆記，以支持快速上市。羅姆致力于通過開發滿足不同需求的低損耗功率器件，并提供設計工具，不斷通過系統低功耗和小型化為環保做貢獻。

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