蓋世汽車訊 6月27日，半導體供應商Diodes宣布推出符合汽車標準的車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET：DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q，進一步增強其寬帶隙產(chǎn)品系列。兩款N溝道MOSFET可滿足市場對SiC解決方案不斷增長的需求，可在電動和混合動力電動汽車（EV/HEV）汽車子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率和更高的功率密度，其中子系統(tǒng)包括電池充電器、車載充電器（OBC）、高功率電源、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和牽引逆變器。
圖片來源：Diodes
來源：蓋世汽車
作者：劉麗婷
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