蓋世汽車訊 據外媒報道，半導體制造商羅姆（ROHM）開發出100V耐壓肖特基勢壘二極管（SBD），可為汽車、工業和消費應用中的電源和保護電路提供業界領先的反向恢復時間（reverse recovery time，trr）。
盡管存在多種類型的二極管，但高效SBD越來越多地用于各種應用。特別是具有溝槽MOS結構的SBD，其VF低于平面型，可在整流應用中實現更高的效率。然而，溝槽MOS結構的一個缺點是trr通常比平面拓撲差，導致用于開關時的功率損耗更高。
為此，羅姆開發出新系列，采用專有的溝槽MOS結構，可同時降低VF和IR（處于權衡關系），同時實現同類領先的trr。
來源：第一電動網
作者：蓋世汽車
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