蓋世汽車訊 3月5日，英飛凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出下一代碳化硅（SiC）MOSFET 溝槽技術，開啟電力系統和能源轉換的新篇章。與上一代產品相比，新型英飛凌CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V第2代將MOSFET的關鍵性能指標（例如存儲能量和電荷）提高了20%，且不影響質量和可靠性水平，從而提高了整體能源效率，并進一步推動脫碳進程。
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來源：第一電動網
作者：蓋世汽車
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