3月9日，博世旗下博世創投宣布完成對基本半導體的投資。基本半導體是一家位于深圳的碳化硅功率器件提供商，博世此舉旨在進一步豐富在第三代半導體領域的布局。

當前，隨著新能源汽車的快速發展，推動以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體也隨之迎來爆發風口。因為相較于砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP)等第二代半導體，第三代半導體具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，可以更好地滿足新能源汽車的發展需求。特別是碳化硅，作為制造MOSFET、IGBT、SBD等高耐壓、大功率電力電子器件的主要材料，正廣泛用于新能源汽車領域。

據相關預測數據顯示，到2025年，新能源汽車與充電樁領域的碳化硅市場將達到17.78億美元，約占碳化硅總市場規模的七成。言外之意即，新能源汽車行業將是碳化硅市場最大的驅動力。

博世碳化硅微芯片，圖片來源：博世

正因為如此，當前很多企業都在積極布局碳化硅領域。其中博世早在2019年就開始試水碳化硅芯片研發。2020年北京車展，博世碳化硅功率器件首次在全球對外亮相，該產品可助力電動汽車和混合動力汽車增加約6%的續航里程，極大地降低能源消耗。

在博世看來，碳化硅一定是未來的大方向，因為與傳統硅基材料產品相比，碳化硅功率器件在實現更高開關頻率的同時，可保持較低能量損耗和較小芯片面積，節能效果更好。為此，近兩年博世一直在不斷加大相關技術領域的投入，并已開始在位于德國的兩家芯片工廠里生產碳化硅芯片，用于取代IGBT。

此次投資基本半導體，無疑是博世強化碳化硅布局又一重要舉措。作為中國第三代半導體行業的重要參與者之一，基本半導體主要致力于碳化硅功率器件的研發與產業化，涵蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等產業全鏈條，并先后推出了全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊等系列產品。

基本半導體研發的車規級碳化硅功率模塊，圖片來源：基本半導體

其中車規級全碳化硅功率模塊是專門針對新能源汽車電機控制器開發，搭載了8顆碳化硅MOSFET芯片，具有高功率密度、高可靠性、低模塊內部寄生電感、低熱阻等性能優勢，該產品將于2021年實現量產。

伴隨著產品方面取得的重大突破，今年2月，基本半導體還在日本名古屋正式注冊成立了基本半導體株式會社，以利用日本在半導體、汽車等產業的人才和技術優勢，加快推動車規級碳化硅功率模塊產品的研發和產業化，同時發力全球化布局。

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