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巴斯夫開發高性能PPA 可用于下一代IGBT半導體外殼

蓋世汽車

蓋世汽車訊 10月14日,巴斯夫(BASF)為下一代電力電子產品開發出一種特別適用于制造IGBT(絕緣柵雙極晶體管)半導體外殼的聚鄰苯二甲酰胺(PPA)——Ultramid?Advanced N3U41 G6,可滿足電動汽車、高速列車、智能制造和可再生能源發電等領域對高性能、可靠電子元件日益增長的需求。電力電子技術公司賽米控丹佛斯(Semikron Danfoss)目前將巴斯夫PPA用作其Semitrans 10 IGBT的外殼材料,該IGBT可以安裝在光伏和風能系統的逆變器中。Ultramid?Advanced N級材料具有出色的耐化學性和尺寸穩定性,可增強這些IGBT的魯棒性、長期性能和可靠性,從而滿足市場對節能、更高功率密度和更高效率日益增長的需求。IGBT能夠有效地切換和控制電力電子產品中的電路。

巴斯夫開發高性能PPA 可用于下一代IGBT半導體外殼

來源:第一電動網

作者:蓋世汽車

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